1. 關(guān)于使用 IGBT 的逆變電路

逆變器電路是與交流到直流轉(zhuǎn)換器電路配合使用的直流到交流轉(zhuǎn)換電路。該逆變器電路中使用 IGBT，輸出不同電壓和頻率的交流電。

開關(guān) IGBT、調(diào)整 ON 和 OFF 間隔以及調(diào)整脈沖寬度。通過生成和整形不同的脈沖波，我們使它們更接近正弦波。這稱為脈沖寬度調(diào)制，這里經(jīng)常使用 IGBT。

通過使用脈寬調(diào)制的變頻來改變電機的轉(zhuǎn)速來控制家用電器的功能。廣泛應(yīng)用于空調(diào)、冰箱、工業(yè)電機、電腦電源等家用電器。

2. IGBT和MOSFET的區(qū)別

IGBT 通常被描述為結(jié)合了 MOSFET 和 BJT（雙極結(jié)晶體管）最佳特性的器件，但與 MOSFET 相比，它們實際上有一些缺點。由于 IGBT 因其結(jié)構(gòu)而具有偏置啟動電壓，因此 MOSFET 器件通常具有較低的 Vds，尤其是在低電流范圍內(nèi)。

IGBT 是專注于中高電流范圍的器件，因此在此范圍內(nèi)它們表現(xiàn)出比 MOSFET 更低的導(dǎo)通電阻，但在低功率范圍內(nèi)的效率很重要的應(yīng)用中，MOSFET 是更優(yōu)選的特性。 。不用說，在Vds小于1V的區(qū)域，MOSFET在Vds = 2V以下的效率方面更勝，而IGBT在更高電壓下更勝。

3、關(guān)于IGBT模塊

由于 IGBT 是復(fù)雜的器件，因此需要花費精力來組裝它們，以便從頭開始控制其運行。因此，將信號處理、放大器電路、保護電路和寄生二極管等控制部分組合成復(fù)合模塊的IGBT模塊得到了廣泛的商業(yè)化。

IGBT 是一種晶體管，如果超過 SOA（安全操作區(qū)）和絕對最大額定值，很容易損壞，因此有些具有內(nèi)置保護電路。 IGBT 的開發(fā)是為了同時實現(xiàn)高擊穿電壓和開關(guān)速度，并且多年來一直在改進，但使用 SiC 和 GaN 等新型化合物半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體器件最近開始引入該功率器件領(lǐng)域。

這些下一代功率半導(dǎo)體器件可實現(xiàn)比 IGBT 更快的開關(guān)操作，并且具有優(yōu)異的耐壓性，因此近年來研究和開發(fā)變得更加活躍。但仍存在成本和供應(yīng)問題等問題需要克服，并且不會取代目前所有的IGBT市場領(lǐng)域，暫時仍將繼續(xù)分離。